Heiztemperaturregelung bei der Einkristallzüchtung

Nach dem üblichen Czochralski-Verfahren werden Einkristalle aus einer hochreinen Silizium-Schmelze gezogen und dann in 0,2-0,5 µm dicke Wafer gesägt. Heizsysteme an der Seite des Tiegels sorgen für kontrollierte Kristallisation, wenn ein Pyrometer deren Temperaturen überwacht und das Signal an eine Steuerung weitergibt.