Messung der Antireflex-Beschichtung

Mit Hilfe des Dünnschichtverfahrens wird eine Antireflexionsschicht als dünne Schicht direkt und großflächig auf das Silizium aufgetragen. Mit der Reduzierung der Reflektion und der gleichzeitigen Zunahme der Absorption soll eine 1-2%-ige Verbesserung der Stromausbeute erzielt werden. Einer der wichtigsten Parameter während des Dünnschicht-Prozesses ist die Temperatur, die über Qualität und Zuverlässigkeit der Produkte entscheidet. Mit Hilfe von Pyrometern wird berührungslos die Temperatur vor der Beschichtung im Bereich von etwa 300 … 500°C überwacht.

Eine berührungslose Temperaturmessung auf Silizium ist entweder im langwelligen oder im sehr nahen, kurzwelligen Bereich möglich. Da Silizium im Spektralbereich 2 …5 µm nahezu transparent ist, erfolgt eine Temperaturmessung im langwelligen Bereich zwischen 8 - 14µm. Hier wird eine Emissivität von ca. 50% erreicht, man muss allerdings eine gewisse Temperaturabhängigkeit beachten.